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LOGITECH
Réf constructeur : 910-005197
EAN : 5099206072558
Date d'expédition : Mercredi 14 mai
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ASUS
Réf constructeur : 90NX07P2-M00HZ0
EAN : 4711387846360
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SONY
Réf constructeur : 1000045171
EAN : 711719593560
Date d'expédition : Mercredi 14 mai
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EAN : 711719593560
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SDSQXCD-512G-GN6MA
SanDisk Extreme PRO 512 Go MicroSDXC UHS-I Classe 10
SANDISK
Réf constructeur : SDSQXCD-512G-GN6MA
EAN : 619659188566
Date d'expédition : Jeudi 15 mai
SanDisk Extreme PRO, 512 Go, MicroSDXC, Classe 10, UHS-I, 200 Mo/s, 140 Mo/s
EAN : 619659188566
Neuf
Disponible
SANDISK
Réf constructeur : SDSQXCD-512G-GN6MA
EAN : 619659188566
Date d'expédition : Jeudi 15 mai
SanDisk Extreme PRO. Capacité: 512 Go, Type de Carte Flash: MicroSDXC, Classe de mémoire Flash: Classe 10, Type de mémoire interne: UHS-I, Vitesse de lecture: 200 Mo/s, Vitesse d'écriture: 140 Mo/s, Classe de vitesse UHS: Class 3 (U3), Classe de vitesse vidéo: V30. Fonctions de protection: Résistant aux chocs, Résistant à une température, Résistant à l’eau, Résistant aux rayons X, Couleur du produit: Noir, Rouge
| Mémoire | |
| Capacité | 512 Go |
| Type de Carte Flash | MicroSDXC |
| Classe de mémoire Flash | Classe 10 |
| Vitesse de lecture | 200 Mo/s |
| Vitesse d'écriture | 140 Mo/s |
| Classe de vitesse UHS | Class 3 (U3) |
| Classe de performance d'application | A2 |
| Caractéristiques | |
| Couleur du produit | Noir, Rouge |
| Fonctions de protection | Résistant aux chocs, Résistant à une température, Résistant à l’eau, Résistant aux rayons X |
| Conditions environnementales | |
| Température d'opération | -25 - 85 °C |
| Température hors fonctionnement | -40 - 85 °C |
| Poids et dimensions | |
| Largeur | 15 mm |
| Profondeur | 1,02 mm |
| Hauteur | 10,9 mm |
| Contenu de l'emballage | |
| Adaptateur mémoire inclus | SD |
| Données logistiques | |
| Code du système harmonisé | 85235190 |
SDSQXCD-512G-GN6MA
Fiche technique
- Capacité
- 512 Go
- Type de Carte Flash
- MicroSDXC
- Classe de mémoire Flash
- Classe 10
Neuf
Avis
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SanDisk Extreme PRO, 512 Go, MicroSDXC, Classe 10, UHS-I, 200 Mo/s, 140 Mo/s