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SAMSUNG 970 EVO 1TO NVME M.2 PCIE BOITE PCIE 3.0 x4, NVME 1.3 PUCE SAMSUNG V-NAND

 
Code article : SAMDD030148
Ref. constructeur : MZ-V7E1T0BW
Code EAN : 8801643205300
Poids : 0.01 Kg
Marque :  

INFORMATIONS SUR LE PRODUIT


Marque: Samsung
Nom du produit: Samsung MZ-V7E1T0 1000 Go PCI Express 3.0 M.2
Type de produit: Disques SSD
Description: Samsung MZ-V7E1T0. Capacité du Solid State Drive (SSD): 1000 Go. Facteur de forme SSD: M.2. Interface du Solid State Drive (SSD): PCI Express 3.0, Vitesse de lecture: 3400 Mo/s, Vitesse d'écriture: 2500 Mo/s, composant pour: PC

CARACTÉRISTIQUES DÉTAILLÉES

boutonPoids et dimensions
Largeur 80,2 mm
Profondeur 2,38 mm
Hauteur 22,1 mm
boutonPuissance
Tension de fonctionnement 3,3 V
Consommation électrique (Lecture) 6 W
Consommation électrique (Ecriture) 6 W
Consommation électrique DevSlp (mode veille) 5 mW
boutonConditions environnementales
Température d'opération 0 - 70 °C
Température hors fonctionnement -45 - 85 °C
Taux d'humidité de fonctionnement 5 - 95%
Vibrations hors fonctionnement 20 G
Choc hors fonctionnement 1500 G
boutonDesign
Facteur de forme SSD M.2
Couleur du produit Noir
Conformité RoHS Oui
boutonreprésentation / réalisation
Capacité du Solid State Drive (SSD) 1000 Go
Interface du Solid State Drive (SSD) PCI Express 3.0
Vitesse de lecture 3400 Mo/s
Vitesse d'écriture 2500 Mo/s
composant pour PC
NVM Express (NVMe) supporté Oui
Version NVM Express (NVMe) 1.3
Type de mémoire 3D MLC
Type Flash NAND MLC (Multi Level Cell)
Type de contrôleur Samsung Phoenix
Flux de données d'interface PCI Express x4
Lecture aléatoire (4KB) 500000 IOPS
Écriture aléatoire (4KB) 450000 IOPS
Algorithme de sécurité soutenu 256-bit AES
Support S.M.A.R.T. Oui
Support TRIM Oui
Opal SSC 2.0 Oui
TCG Opal 2.0 Oui
Temps moyen entre pannes 15000000 h
Ces specifications sont fournies a titre indicatif.ECP se reserve le droit de les modifier sans preavis
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Lundi 19 Novembre 2018 08:01:45
Conditions générales de vente  |    |